XDV-μ

XDV-μ型系列儀器是專為在極微小結(jié)構(gòu)上進(jìn)行高精度鍍層厚度測量和材料分析而設(shè)計(jì)的。該系列儀器均配備用于聚焦X射線束的多毛細(xì)管透鏡，光斑直徑（FWHM）可達(dá)10至60μm。短時(shí)間內(nèi)就可形成高強(qiáng)度聚焦射線。除了通用型XDV-μ型儀器，還有專門為電子和半導(dǎo)體行業(yè)而設(shè)計(jì)的儀器。如XDV-μ LD是專為測量線路板而優(yōu)化的，而XDV-μ wafer是為在潔凈間使用而設(shè)計(jì)的。

特點(diǎn)

• Advanced polycapillary X-ray optics that focus the X-rays onto extremely small measurement surfaces

• 先進(jìn)的多毛細(xì)管透鏡，可將X射線聚集到極微小的測量面上

• 現(xiàn)代化的硅漂移探測器（SDD），確保極高的檢測靈敏度

• 可用于自動化測量的超大可編程樣品平臺

• 為特殊應(yīng)用而專門設(shè)計(jì)的儀器，包括：

• XDV-μ LD，擁有較長的測量距離（至少12mm）

• XDV-μLEAD FRAME，特別為測量引線框架鍍層如Au/Pd/Ni/CuFe等應(yīng)用而優(yōu)化

• XDV-μ wafer,配備全自動晶圓承片臺系統(tǒng)

應(yīng)用：

鍍層厚度測量

• 測量未布元器件和已布元器件的印制線路板

• 在納米范圍內(nèi)測量復(fù)雜鍍層系統(tǒng)，如引線框架上Au/Pd/Ni/CuFe的鍍層厚度

• 對最大12英寸直徑的晶圓進(jìn)行全自動的質(zhì)量監(jiān)控

• 在納米范圍內(nèi)測量金屬化層（凸塊下金屬化層，UBM）

• 遵循標(biāo)準(zhǔn) DIN EN ISO 3497 和 ASTM B568

材料分析

• 分析諸如Na等極輕元素

• 分析銅柱上的無鉛化焊帽

• 分析半導(dǎo)體行業(yè)中C4或更小的焊料凸塊以及微小的接觸面